ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера патент
9.МБ.299. Интегральный тепловой элемент Березкин В.А., Дмитриев В.К., Качуровский Ю.Г., Шкуропат И.Г.. Пат. 2141649 Россия, МПК6 G 01 N 27/14. 98102882/28; Заявл. 18.02.1998; Опубл. 20.11.1999
Использование: в качестве нагревателя интегрального полупроводникового газового датчика, ИК-излучателя адсорбц. оптич. газоанализатора, активатора печатающей головки струйного принтера. Техн. результат - повышение надежности и долговечности теплового элемента. Сущность: наносят тонкий слой монокрист. кремния на многослойную диэлектрич. тонкопленочную МБ, на незащищ. ПВ кремниевого слоя наносят многослойную диэлектрич. ПЛ, причем слои этой ПЛ идентичны слоям МБ и расположены зеркально симметрично относительно слоя кремния, в кач-ве ПЛ используют комбинацию слоев диэлектриков SiO2 и Si3N4 с соотношением толщин (3,5-2,7):1,0, слой SiO2 прилегает к слою кремния. Ил. 2

Ключевые слова: акк мембраны керамические% н тонкопленочные% акк кремний% н монокрист.%акк пленки полупроводниковые% н диэлектрич., многослойные%акк термоэлементы% н интегральные, применение% акк датчики% н газовые% акк газоанализаторы


Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.

Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору