ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
11.МБ.10. Осаждение и свойства пленок Ta, TaNxи Ta4B в качестве маски в системах литографии нового поколения Deposition and characterization of Ta, TaNx and Ta4B films for next-generation lithography mask applications. Lee Seung Yoon, Park Chang Mo, Ahn Jinho. Jap. J. Appl. Phys. Pt 1. 2000. 39, 12B, с. 69196922, 7. Библ. 14. Англ.
Исследованы св-ва пленок тантала, нитрида тантала и борида тантала, полученных методом распыления, в кач-ве материала маски для систем литографии нового поколения. ПЛ осаждали на подложки Si(100) p-типа в установке магнетронного распыления на постоянном токе. Распыление проводили ионами аргона при осаждении пленок чистого тантала и TaB4 и в атмосфере аргона с добавками азота при осаждении TaNx. Определяли плотность, остаточные напряжения, микроструктуру, шероховатость ПВ и хим. состав осажденных пленок. Установлено, что плотность пленок превышает 15,5 г/см3 и мало зависит от давл. в процессе осаждения. ПЛ чистого тантала имели крист. столбчатую структуру, а ПЛ нитрида тантала и борида тантала были аморфными. Аморфные ПЛ характеризуются более гладкой ПВ и подавляют диффузию кислорода, что повышает их стабильность при воздействии напряжений и делает пригодными в кач-ве материала масок отражательного и мембранного типа.

Ключевые слова: акк пленки% акк тантал% асп тантал% п нитриды% асп тантал% п бориды% акк кремний% н монокрист., подложки% акк литография% н электронная% акк маски% н отражат. и мембранного типов% акк осаждение% н магнетронное распыление




Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору