ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
11.МБ.11. Диэлектрические и пьезоэлектрические свойства композитов 0,91Pb(Zn1/3Nb2/3)O30,09PbTiO3/поливинилиденфторид (PZNT/PVDF), полученных методом золь-гель Dielectric and piezoelectric properties of 0.91Pb(Zn1/3Nb2/3)O30.09PbTiO3/polyvinylidene fluoride composites produced by the sol-gel method. Tajitsu Yoshiro, Yonezawa Masato, Sato Akira, Tomiyama Hiroyuki, Date Munehiro, Fukuda Eiichi, Yamashita Yohachi. Jap. J. Appl. Phys. Pt 1. 2000. 39, 9B, с. 56725675, 5. Библ. 17. Англ.
Методом золь-гель получили композитные МБ неорг. сегнетоэлектрик/сегнетоэлектрич. полимер большой площади. Полученные ПЛ PZNT/PVDF имеют значения остаточной поляризации Pr @200 мкКл/м2 и коэф. электромех. связи k33 @0,08. Диэлектрич. и пьезоэлектрич. св-ва композитных ПЛ PZNT/PVDF сравнены со св-вами PVDF и сополимера винилиденфторида с трифторэтиленом.

Ключевые слова: –акк мембраны композиционные% акк сегнетоэлектрики% н неорг. и полимерные% асп свинец--% п цинк% п титанаты--% п ниобаты% акк поливинилиденфторид% акк золь-гель технология% акк диэлектрические свойства


Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.

Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору