 |
|
|
9.МБ.131. Определение характеристик пористого Si в ПЭМ
TEM characterisation of porous silicon. Parisini A., Angelucci R., Dori L., Poggi A., Maccagnani P., Cardinali G.C., Amato G., Lerondel G., Midellino D.. Micron. 2000. 31, № 3, с. 223-230. Англ.
Обсуждаются результаты структурных исследований пористого Si и электронных приборов на его основе. Рассматриваются св-ва микро-, мезо- и макропористых слоев, Si/SiO2-сверхрешеток, МБ и газовых сенсоров. Анализируются возможности и ограничения применений пористого Si на практике, а также подходы к решениям проблем технологии этого материала. Библ. 19
Ключевые слова: акк кремний% н пористый% н области применения% акк полупроводниковые приборы% акк сверхрешетка% н Si/SiO2% н микро-, мезо- и макропористые слои% акк мембраны неорганические% акк сенсоры% н газовые% акк микроскопия электронная% н просвечивающая
|
|
|
|
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.
Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается копирование
материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору
|
