ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера обзор
27.МБ.255. Объемные свойства ионообменных мембран на основе алкилсульфатов-алкилпиридиния: проницаемость и поток ионов Михалева Н. М., Кулапина Е. Г., Ильичев А. Е.. ЭМА - 2004: 6 Всероссийская конференция по электрохимическим методам анализа с международным участием, Уфа, 23-27 мая, 2004. Уфа. 2004, с. 137139. Рус.
Работа посвящена количественной оценке проницаемости фоновых мембран, молекулярных сит и мембран на основе алкилсульфатов-алкилпиридиния и потоков анионных и катионных поверхностно-активных веществ (ПАВ) через указанные мембраны. В качестве растворителя-пластификатора применяли дибутилфталат (ДБФ), полимерной матрицы - поливинилхлорид (ПВХ), соотношение ДБФ:ПВХ=3:1, CАЭС=0,001-0,01 моль/кг ДБФ; толщина мембран - 0,3-0,5 мм. В качестве примембранных растворов применяли растворы ПАВ (до-, три-, тетра-, гексадецилсульфатов натрия и хлоридов додецил-, цетилпиридиния) с концентрациями от 1´10-2 до 1´10-4 М..

Ключевые слова: АКК мембраны, к ионный обмен, н объемные свойства, АСН алкил-, п пиридиний алкил-, п сульфаты, АКК проницаемость, АКК ионы, н поток


Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.

Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору