ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера обзор
25.МБ.55. Диэлектрические свойства бактериородопсинсодержащеймембраны bR Dielectric properties of the bR membrane. Ermolina Irina, Lewis Aaron, Feldman Yuri. J. Phys. Chem. B. 2003. 107, 51
Представлено применение диэлектрической спектроскопии для изучения пленок пурпурных мембран, содержащих бактериородопсин (bR). Исследовано два типа пленок (ориентированных и неориентированных) мембран bR в широких диапазонах частот (10-2-3´109 Гц) и температур (5-70ºC). В этом частотном диапазоне наблюдали четыре релаксационных процесса, которые приписали к различным механизмам, связанным со структурными единицами системы. Наблюдали высокую необратимость в диэлектрическом отклике при нагревании и охлаждении. Проведено сравнение ориентированных и неориентированных пленок мембран bR и показано, что ориентированные пурпурные мембраны обладают уникальным ферроэлектрическим поведением, подобным поведению жидких кристаллов.

Ключевые слова: []АКК мембраны, н bR, пурпурные, АСП бактериородопсин, н содержание, АКК диэлектрические свойства, АКК сегнетоэлектричество


Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.

Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору