ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера патент
24.МБ.309. Полиариленэфирсульфон с сульфоалкильными группами для получения полиэлектролитных мембран Poly(arylene ether sulfone) having sulfoalkoxy group, porcess of producing the same, and polymer electrolyte membrane comprising the same. Oguri Motohiro, Ikeda Ryuji, Okisaki Fumio. Заявка 1314751 ЕПВ, МПК 7 C 08 G 75/23, C 08 G 65/48. Tosoh Corp. Shinnanyo-shi. №02025617.8; Заявл. 10.11.2002; Опубл. 28.05.2003. Англ.
Полиэлектролит для изготовления полупроницаемых мембран (МБ) получают на основе полиариленэфирсульфона с сульфоалкильными группами со звеньями формулы -OC6H4(-ORSO3H)CR2C6H4(-ORSO3H)OC6H4(-ORSO3 H)SO2OC6H4(-ORSO3H)-, где R - алкил. Пример (г). 110 полиариленэфирсульфона растворяют в 600 хлф., добавляют 110 Br2 по каплям, перемешивают 24 ч, выливают в избыток метанола и получают после высушивания 137 бромидного производного, которое используют для дальнейшего образования -ORSO3H-группировок в полимере, из которого формуют полупроницаемые мембраны.

Ключевые слова: АКК полиэлектролиты, АКК полисульфоны, АКК мембраны, АКК формование


Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.

Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору