ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
24.МБ.255. Образование мембранного слоя в жидких расслаивающихся системах Ширшина Л. Г., Крупаткин И. Л.. Международная конференция "Физико-химический анализ жидкофазных систем", Саратов, 30 июня-4 июля, 2003: Тезисы докладов. Саратов:Изд-во Саратов. гос. ун-та. 2003, с. 125. Рус.
Методами жидкофазных равновесий и электротермическим методом изучены системы, в которых одна из трех жидких фаз, образующихся из критического раствора, рассматриваются как жидкостный контакт между двумя другими жидкими фазами. Определены величины разности потенциалов жидких фаз в системе в интервале температур 15-75ºC. Выяснен мембранный характер новой третьей жидкой фазы в зависимости от толщины слоя, рассчитаны общие мембранные потенциалы. Результаты характеризуют жидкую фазу как мембрану с положительными активными центрами. Полученные результаты в области, близкой к критическим растворам, коррелируют с результатами зависимости жидкостного потенциала от активности ионов в жидкостной мембране.

Ключевые слова: АКК системы, н жидкие, расслаивающиеся, АКК мембраны, н слои, образование, АКК электрический потенциал


Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.

Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору