ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
24.МБ.124. Механизм электропроводности для мембран из поликристаллического алмаза в диапазоне напряжений 50 В The electrical conduction mechanism for the polycrystalline diamond membrane in the voltage range of ±50 V. Huang Bohr-Ran, Chang Shoou-Jinn. Mater. Lett.. 2002. 56, 5, с. 867872. Англ.
Осуществлено осаждение пленок из поликристаллического алмаза на кремниевую подложку методом опосредованного микроволновой плазмой химического осаждения из смеси метан/водород. Мембраны из поликриталлич. алмаза получены путем травления обратной стороны кремниевой пластины раствором KOH. Изучен механизм проводимости сэндвичевой структуры Al/алмаз/Al мембраны из поликристаллич. алмаза в диапазоне напряжений от -300 до 300 В. Установлено, что свойства электропроводности алмазных кристаллитов следуют эмиссионному механизму Schottky, который играет важную роль в диапазоне низких напряжений ±50 В..

Ключевые слова: ±АКК мембраны, АКК алмаз, н поликристаллический, к пленки, АКК электропроводность, н механизм


Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.

Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору