ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
24.МБ.104. Уменьшение стоимости извлечения пара-ксилола A less-expensive process for para-xylene separation. . Chem. Eng.(USA). 2002. 109, 13, с. 17. Англ.
Обычно n-ксилол извлекают из смешанных ксилолов путем его адсорбции цеолитом, десорбции с помощью растворителя и последующей дистилляцией. Японской фирмой "NGK Insulators Ltd" разработан новый метод извлечения n-ксилола, позволяющий в два раза снизить размер капитальных затрат. Фирмой создана новая цеолитовая мембрана, отделяющая n-ксилол от его других изомеров. В качестве носителя для трубчатой модульной мембраны служит пористый керамич. материал с таким же коэффициентом термич. расширения. Толщина мембраны диаметром 10 мм и длиной 100 м составляет несколько мк. Коэффициент разделения (или кратность обогащения n-ксилола) при использовании таких мембран при 200º под давлением до 20 атм составляет 200-250. Фирма работает над созданием мембран больших размеров.

Ключевые слова: АКК ксилол n-, н извлечение, АКК мембраны, н цеолитовая, кк носители, к керамические материалы, н пористые, АНД Япония


Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.

Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору