ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
23.МБ.53. Генерирование индуцированного светом электрического потенциала из ионообменных мембран, содержащих 4,4'-бипиридиновую группу. IV. Влияние присутствия полупроводников n-типа в фотоэлементе на электрический потенциал Generation of light-induced electrical potential from ion exchange membranes containing 4,4-bipyridine moiety. Sata Toshikatsu, Sata Tomoaki. . IV. Effect of presence of n-type semiconductors in a photocell on electrical potential J. Electrochem. Soc.. 2003. 150, 3, с. E141E147, 9 ил.. Библ. 18. Англ.
Анионообменные мембраны (МБ) с виологеновой группой, содержащие мелкие частицы анатаза (TiO2), получены методом литья и изучено фотонапряжение (ФН) при освещении одной поверхности МБ после сборки фотоэлемента (ФЭ) (МБ пропитана этиленгликолем и расположена между двумя ИТО-электродами). В таком ФЭ быстро генерируется более высокое ФН (175 мВ при 200 кОм) по сравнению с МБ без TiO2 (105,7 мВ). Однако ФН было анизотропным относительно направления поверхностей МБ из-за гетерогенного распределения частиц TiO2. Исследован также ФЭ, состоящий из МБ с виологеном (без TiO2), смоченной этиленгликолем или триэтиленгликолем, и слоя полупроводника n-типа (CdS, рутил-TiO2 и анатаз-TiO2). При освещении полупроводникового слоя ФН превышало 350 мВ. Это обусловлено в основном электронами, генерированными из возбужденного n-полупроводника, которые накапливаются на ИТО-электроде, и восстановлением виологена, содержащегося в МБ, на темновой стороне. Сделан вывод, что электроны из возбужденного TiO2 обеспечивают больший вклад в ФН по сравнению с электронами из виологена.

Ключевые слова: АКК электрический потенциал, АКК мембраны ионообменные, н содержащие 4,4-бипиридиновую группу, АКК полупроводники, н n-типа, влияние




Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору