ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
19.МБ.216. Особенности влияния иода, брома и хлора на электрохимические свойства бислойных липидных мембран Peculiarities of the influence of iodine, bromine and chlorine on electrochemical properties of bilayer lipid membranes. Kuznetsova I. N., Ksenzek O. S., Kylyvnyk K. E.. Electrochemistry in Molecular and Microscopic Dimensions: 53 Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry, Dusseldorf, 15-20 Sept., 2002: Book of Abstracts. Frankfurt an Main:DECHEMA. 2002, с. 94. Англ.
Методом ЦВА, хроноамперометрии и низкочастного импеданса исследовано влияние галогенов и гипогалогенидов (ГГ) на электрохимические свойства бислойных липидных мембран (БАМ) в 0,01 М NaNO3. Количество окислителей составляло 10-5-10-3 М. В присутствии гипогалогенидов проводимость (σ) БАМ увеличивается на порядок, что объяснено механизмом прямой пассивации ионов через БАМ. I2 увеличивает σ на несколько порядков.

Ключевые слова: АКК электрохимические свойства, АКК мембраны, н бислойные липидные, АКК иод, АКК бром, АКК хлор, АНН особенности влияния на св-ва


Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.

Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору