ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
19.МБ.103. Механизм селективного прохождения ионов через ионообменную мембрану Meng Hong, Peng Changsheng, Lu Shouci. (Китая, Civil and Environmental Engineering School, UST Beijing, Beijing 100083) Beijing keji daxue xuebao=J. Univ. Sci. and Techn. Beijing. 2002. 24, 6, с. 656660, 5 ил. Библ. 7. Кит.; рез. англ.
При применении теории двойного электрич. слоя и теории равновесия Доннана для объяснения селективного прохождения ионов через ионообменную мембрану (МБ) возникает ряд проблем. Предложена гипотеза образования полостей и двойного электрич. слоя, согласно которой при миграции ионов внутри МБ образуются ионные полости и двойной электрич. слой около МБ, который пропускает противоионы, поступающие в МБ из воды; ионные полости пропускают противоионы идущие от МБ к воде. Данная гипотеза позволяет объяснить селективное прохождение ионов через МБ в различных случаях, например, при наличии электрич. или неэлектрич. поля. Приведены модели: 1) двойного электрич. слоя и 2) селективности прохождения ионов через катионообменную МБ в воде, водных растворах соляной кислоты и KCl и в электрич. поле.

Ключевые слова: АКК мембраны ионообменные, АКК ионный перенос, н селективный, механизм




Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору