ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера патент
18.МБ.306. Способ изготовления щелочноземельного гидрооксида Process for the production of alkaline earth hydroxide. Пат. 6375825 США, МПК7 C 25 B 1/20. Chemical Products Corp., Mauldin Lloyd Ballard, Adams Charles (Jr), Randolph Donald R., Mazur Duane J., Genders J. David, Chai Dennis M. 09/428738; Заявл. 28.10.1999; Опубл. 23.04.2002; НПК 205/508. Англ.
Патентуется электролитич. процесс непрерывного производства щелочноземельного (щел.-зем.) гидрооксида, посредством непрерывного обеспечения анодного пространства водным раствором галоидного соединения щелочноземельного металла и катодного пространства водным раствором гидрооксида щел.-зем. металла или воды в электролитич. ячейке, в которой анод и катод закреплены, соответственно, в отдельных анодном и катодном пространствах, при помощи устойчивой к гидратации, катион-селективной, гидравлически непроницаемой, электропроводящей мембраны, вставленной между анодом и катодом; проведения электролиза раствора галоидного соединения щел.-зем. металла с последующим непрерывным удалением раствора гидрооксида щел.-зем. металла и водорода из катодного пространства и галогена из анодного пространства. В качестве мембраны использована пленка фторполимера с незавершенными боковыми цепями, содержащими сульфонил-группы, являющиеся активными к ионному обмену и присоединенные к атомам углерода, которые имеют по крайней мере один присоединенный атом фтора. В другом варианте патентуется конструкция мембраны, представляющей слоистый пластик из двух таких полимеров, но отличающихся по эквивалентному весу.

Ключевые слова: акк гидроксиды% н щелочноземельные металлы% анн электролитический способ производства% акк мембраны полимерные% н гидравлически непроницаемые пленочные% н использование




Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору