ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
18.МБ.218. Мембраны мезопористого SiO2на подложке, полученные золь-гелевым способом с применением шаблона Li Chuanfeng, Zhong Shunhe, Li Qing. Guisuanyuan xuebao=J. Chin. Ceram. Soc. 2002. 30, 3, с. 352356. Кит.; рез. англ.
Два типа мембран (МБ) мезопористого SiO2 на подложке получали из источника органического кремния (тетраэтоксисилана), источника неорганич. кремния (Na2SiO3) и агентов шаблона C12H25(CH3)3Cl комбинированным золь-гель способом с применением шаблонных агентов. Полученные МБ исследовали методами сканирующей электронной микроскопии, термогравиметрии, абсорбции азота и газовой проницаемости. Результаты исследований показали, что образуются связи между источниками кремния и шаблонными агентами. МБ, полученные из тетраэтоксисилана, имеют кристаллич. и аморфную фазу и их средний размер пор составляет 4,2 нанометра. МБ, полученные из Na2SiO3, имеют только кристаллич. фазу и их средний размер пор составляет 6 нанометров.

Ключевые слова: акк мембраны неорганические% н кремний диоксид мезопористый% н получение% акк золь-гель процесс% н применение


Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.

Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору