ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
18.МБ.84. Синтез протоно-проводящих мембран с использованием пост-радиационной прививки и метода радикальной полимеризации с переносом атома Synthesis of proton-conducting membranes by the utilization of preirradiation grafting and atom transfer radical polymerization techniques. Holmberg Svante, Holmlund Peter, Wilen Carl-Eric, Kallio Tanja, Sundholm Goran, Sundholm Franciska. J. Polym. Sci. A. 2002. 40, 4, с. 591600, 7. Библ. 44. Англ.
Привитой полимеризацией (ППМ) винилбензилхлорида (I) на предварительно облученную электронным пучком ПВХ-мембрану получен привитой сополимер ПВХ-прив.-поли-I. Изучена радикальная ППМ стирола (II) по механизму переноса атома на полученную мембрану, инициированная PhCH2Cl-группами на поверхности, под действием КТ-системы CuX/бипиридил (X-Cl, Br) в присутствии 10% ДМФА при 100130º. Степень прививки достигает 400% за 3 ч. Энергия активации ППМ составляет 217 кДж/моль. Продукт обрабатывали 0,5 М хлорсульфоновой к-той. Модифицированные мембраны обладают H+-проводимостью до 70 мС/см. Продукты охарактеризованы методами электронной микроскопии и рентгеновского рассеяния. При последовательной ППМ II и трет-бутилакрилата с послед. гидролизом продукта получен 4-компонентный СПЛ ПВХ-прив. [поли-I-прив.(ПС-блок-полиакриловая кислота)]. Laboratory of Polymer Technology, Abo Akademi University, Biskopsgatan 8, FIN-20500 Abo, Finland; Laboratory of Physical Chemistry and Electrochemistry, Helsinki University of Technology, PB 6100, FIN-02015 HUT, Finland; Laboratory of Polymer Chemistry, University of Helsinki, PB 55, FIN-00014, HY, Finland.

Ключевые слова: акк мембраны полимерные% н поливинилхлорид% н протон-проводящие% акк модифицирование% акк сополимеризация привитая% н использование




Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору