 |
|
|
16.МБ.206. Потенциометрический сенсор на Zn(2+) с мембраной на основе поли(винилхлорида) и гематопорфирина IX
A PVC based hematoporphyrin IX membrane potentiometric sensor for zinc (II). Jain Ajay K., Sondhi Sham M., Rajvanshi Shefali. Electroanalysis. 2002. 14, № 4, с. 293-296, 3. Библ. 28. Англ.
Гетерогенные мембраны получены растворением соответствующего количества поли(винилхлорида), гематопорфирина IX и пластификатора в тетрагидрофуране. После испарения части растворителя концентрированная смесь нанесена на гладкую стеклянную поверхность. Такие мембраны имели хороший потенциометрический отклик на Zn(2+) в интервале концентраций 5·10–5–1·10–1 M. Наклон зависимости потенциал–концентрация Zn(2+) составлял 28,6 нВ. Время отклика менее 30 с при стабильности характеристик в течение 3 месяцев. Сенсоры с такой мембраной селективны к Zn(2+) в присутствии ионов щелочных, щелочно-земельных и тяжелых металлов и имеют удовлетворительные характеристики при рН 2,0–5,5.
Ключевые слова: акк сенсоры% н потенциометрич.% н мембранные% акк ионы% н Zn(2+)% н селективность% акк мембраны% н гетерогенные% н получение% н использование
|
|
|
|
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.
Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается копирование
материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору
|
