ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
14.МБ.12. Моделирование и экспериментальное изучение чувствительности к pH тонких пленок AlN Simulation and experimental study of the pH-sensing property for AlN thin films. Chiang Jung-Lung, Chen Ying-Chung, Chou Jung-Chuan. Jap. J. Appl. Phys. Pt 1. 2001. 40, 10, с. 59005904, 9. Библ. 23. Англ.
Исследовали применение тонких пленок AlN в кач-ве МБ в ионно-чувствит. ПТ для измерения pH. Расчеты показывают, что ионно-чувствит. ПТ с AlN/SiO2 затвором имеет высокую чувствительность к pH и линейные ВАХ и ВФХ. Рассчитанная pH-чувствительность составляет 5259,8 мВ/pH при pH=114. Обсуждены результаты измерений ВАХ и ВФХ для ПТ с AlN/SiO2 затворами с ПЛ AlN толщиной 80120 нм, осажденными реактивным распылением.

Ключевые слова: акк полупроводники% н ПЛ тонкие% асп алюминий% п нитриды% н AlN% акк кремний диоксид% н подложка% акк мембраны неорганические% н изготовление% акк распыление% н реактивное, использование% акк pH определение% акк мембранный потенциал% н ВАХ, ВФХ




Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору