ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
14.МБ.9. AlGaN/GaN транзисторы с высокой подвижностью электронов на подложке Si(111) AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si(111) substrates. Chumbes Eduardo M., Schremer A.T., Smart Joseph A., Wang Y., MacDonald Noel C., Hogue D., Komiak James J., Lichwalla Stephen J., Leoni Robert E. (III), Shealy James R. IEEE Trans. Electron Devices. 2001. 48, 3, с. 420426, 9. Библ. 25. Англ.
С использованием метода парофазной эпитаксии из МОС впервые изготовлены AlGaN/GaN транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на подложке p-Si(111). Установлено, что до напряжения 20 В эти приборы имеют хорошие статич. выходные х-ки и могут рассеивать мощность до 13 Вт/мм без деградации параметров. Однако в СВЧ режиме заряд подложки образует емкостную связь и паразитную нагрузку, к-рые ограничивают параметры прибора. В результате при длине затвора 0,3 мкм такие приборы имели практически одинаковые значения макс. частоты генерации и частоты отсечки (~25 ГГц) и выходную мощность 0,55 Вт/мм. Для исключения паразитной нагрузки необходимо удалить проводящую подложку и использовать HEMT в виде безопорной МБ.

Ключевые слова: акк гетеропереходы% н AlGaN/GaN% асп алюминий–% п галлий% п нитриды% асп галлий% п нитриды% акк кремний% н подложки% акк эпитаксия% н парофазная% акк транзисторы% н с высокой подвижностью электронов% н изготовление% акк мембраны неорганические% акк электрохимические свойства




Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору