ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера патент
13.МБ.352. Метод травления диэлектрического слоя на полупроводниковой подложке Method for etching a dielectric layer over a semiconductor substrate. Пат. 6187216 США, МПК7 C 03 C 15/02. Motorola, Inc., Dryer Paul William, Davison Michael J., Dyrsten Ralph A. 08/917982; Заявл. 27.08.1997; Опубл. 13.02.2001; НПК 216/95. Англ.
Патентуется метод жидкостного травления диэлектрич. слоев на полупроводниковой подложке. Травление проводится в ванне из двух отделений, разделенных стенкой. В первом отделении, где проводится травление, травитель заполняет его до уровня высоты стенки. Во втором отделении (резервуаре) травитель находится ниже уровня высоты стенки. Из резервуара травитель прокачивается насосом через осмотич. мембранный очиститель и подается в травильное отделение. Добавление травителя приводит к его перетеканию через стенку в резервуар. Осмотич. мембранный очиститель уменьшает конц-ию р-ционного агента в травителе.

Ключевые слова: акк травление% н жидкостное% акк диэлектрики% н слои нанесенные% акк полупроводники% н подложки% акк травильные растворы% н очистка мембранная% акк мембраны% н осмотич. использование


Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.

Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору