 |
|
|
11.МБ.238. Установка электронно-лучевого экспонирования
Electron-beam exposure system and a method applied therein. Пат. 6034376 США, МПК 7 H 01 J 37/04, H 01 J 37/302. NEC Corp., Ema Takahiro. № 09/035835; Заявл. 06.03.1998; Опубл. 07.03.2000; Приор. 07.03.1997, № 9-053259 (Япония); НПК 250/492.23. Англ.
Патентуются метод и установка электронно-лучевого экспонирования, к-рая найдет применение в системах проекционной литографии при последовательном коротком экспонировании элементов рисунка схем в процессе их переноса с маски на подложку. Метод предусматривает регулируемое изменение тока луча в месте поступления на ПВ подложки. Установка содержит фильтр, помещенный на пути движения электронного луча между выходным апертурным отверстием источника электронов и маской. Фильтр образован поглощающим ток МБ. В кач-ве материала МБ могут использоваться нанесенные на слои из Si или из SiN ПЛ из Al, Ti, Cr, Mo и др. Коэф. поглощения МБ позволяет получить нужную интенсивность тока луча после прохождения через элементы маски, размер к-рых также определяет кач-во и разрешение получаемых на подложке линий рисунка. Ил. 10.
Ключевые слова: акк мембраны композиционные% н поглощающие ток% акк пленки металлические% акк кремний% н подложка% акк кремний нитрид% н подложка% акк литография% н электронная, проекционная% к маски% акк электронные пучки% н установка электронно-лучевого экспонирования
|
|
|
|
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.
Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается копирование
материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору
|
