ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
11.МБ.122. Чувствительные к ионам транзисторы с полевым эффектом и двуслойными мембранами Ion-sensitive field effect transistors with two-layer membranes. Petrukhin O.M., Spivakov B.Ya., Myasoedov B.F. 10th Russian-Japan Joint Symposium on Analytical Chemistry, Moscow Saint Petersburg, Aug. 2028, 2000: RJSAC2000: Final Program. Book Abstr. [Moscow]. 2000, с. 2022. Англ.
Разработана технология изготовления ионных сенсоров на основе транзисторов с полевым эффектом, состоящих из запирающего Ta2O5-Э, поливинилхлоридной чувствит. к ионам МБ и промежуточного полимерного ПК. Такие сенсоры обладают х-ками, подобными х-кам ионоселективных МБ с похожим составом и не чувствительны к изменениям pH в интервале pH 59. Подробно изучены св-ва сенсоров, чувствит. к NO3-ионам. Academy of Sciences, Kosygina str. 19, 117975 Moscow, Russia.

Ключевые слова: акк сенсоры% н ионные% акк транзисторы% н полевые% акк мембраны полимерные% н двухслойные, на основе ПВХ% асп тантал% п оксиды% н запирающие Э% акк нитраты определение% н ионы




Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору