ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
11.МБ.73. Высокотемпературные, радиационно-стойкие датчики температуры на основе карбида кремния Афанасьев А.В., Ильин В.А., Корляков А.В., Лучинин В.В., Никитин И.В., Петров А.А. Всерос. конф. с междунар. участием "СЕНСОР-2000. Сенсоры и микросистемы", Санкт-Петербург, 2123 июня, 2000: Тез. докл. СПб. 2000, с. 65. Рус.
Датчики т-ры представляют наиболее популярный спектр рынка датчиков. В то же время задача надежного измерения т-ры в условиях комплексного воздействия высоких т-р и ионизирующего излучения является актуальной проблемой. На основе широкозонного полупроводникового материала карбида кремния разработаны высокот-рные, радиационно-стойкие датчики т-ры. Повышенные эксплуатац. х-ки датчиков достигаются за счет термич. и радиац. стойкости карбида кремния. Для измерения т-ры используются два типа преобразователей: терморезистивный и на основе диода с барьером Шоттки. В конструкции терморезистивного элемента использована технология "карбид кремния на изоляторе". Для уменьшения тепловой связи с корпусом терморезистор располагается на тонкой кремниевой МБ. Разработанная конструкция чувствит. элемента допускает его использование как компонента гибридных мультисенсорных систем.

Ключевые слова: акк датчики% н высокот-рные, радиационностойкие% акк кремний карбид% н основа% акк температура измерение% акк мембраны неорганические% н кремниевые% н подложки для терморезисторов




Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору