ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
11.МБ.13. Высокоэффективная мембранная маска для электронной проекционной литографии High-performance membrane mask for electron projection lithography: Pap. 44th International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Nanofabrication, Rancho Mirage, Calif., 30 May2 June, 2000. Yamashita Hiroshi, Amemiya Isao, Nomura Eiichi, Nakajima Ken, Nozue Hiroshi. J. Vac. Sci. and Technol. B. 2000. 18, 6, с. 32373241, 6, 2 табл. Библ. 11. Англ.
Разработана высокоэффективная мембранная маска для установки проекционной литографии. Обсуждается конструкция маски, энергетич. распределение электронов, прошедших маску, выбор материалов. Оптим. конструкция маски разработана с использованием моделирования электронного рассеяния. Маска состоит из алмазоподобного углеродного отражателя толщ. 600 нм на алмазоподобной углеродной МБ толщ. 3060 нм. Получены электронное пропускание 80% и контраст луча 100% с подходящей ограничивающей апертурой. Успешно изготовлена МБ 1 мм2 толщ. до 30 нм. Путем уменьшения толщины МБ интенсивность электронов с нулевыми потерями будет увеличиваться, и потери первого плазмона будут уменьшаться. Это позволит использовать широкий полуугол луча и в результате улучшить разрешение и произ-сть установки экспонирования.

Ключевые слова: акк литография% н электронная, проекционная% акк маски% н мембранные% акк углеродистые материалы% н алмазоподобные% к мембраны неорганические% акк электронные пучки% н установка для экспонирования




Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору