ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
11.МБ.6. Осаждение и отжиг пленок Ta, TaSixи TaBxи их применение в качестве литографической маски Sputter deposition and annealing of Ta, TaSix and TaBx composite films and their application in next generation lithography masks. Racette Kenneth, Brooks Cameron, Guarnieri C. Richard, Hendy Dennis. J. Vac. Sci. and Technol. A. 2000. 18, 4, Pt 1, с. 11191124, 7. Библ. 13. Англ.
Исследованы свойства пленок тантала, силицида тантала и борида тантала, полученных магнетронным ВЧ распылением на постоянном токе, в кач-ве поглощающего слоя маски мембранного типа. Осаждение проводили в интервале давл. аргона 1,3317,2 Па при ВЧ мощности 25 кВт. Изучали также влияние таких параметров, как состав подложки и уровень напряжений в ней, плотность материала подложки. Установлено, что уровень напряжений в ПЛ зависит от давл. в процессе осаждения: при миним. давл. ПЛ имели напряжения сжатия, к-рые снижались до нуля и становились напряжениями растяжения при давл. @3,0 Па. Осаждение при более низкой мощности давало ПЛ с более плавным характером зависимости от давл. Характер изменения напряжений в ПЛ в процессе отжига в азоте при т-ре 300550ºC показал пригодность силицида тантала и борида тантала в кач-ве материала поглощающего слоя рентгенолитографич. маски.

Ключевые слова: акк литография% н рентгенолитография% акк маски% н мембранные% п тантал силицид% п тантал борид% акк пленки% акк осаждение% акк отжиг




Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору