ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера патент
10.МБ.239. Процесс изготовления пористых кремниевых элементов в кристаллическом кремниевом элементе Process for forming a porous silicon member in a crystalline silicon member. Пат. 6004450 США, МПК6 C 25 F 3/12. The Regents of the University of California, Northrup M. Allen, Yu Conrad M., Raley Norman F. 09/165.894; Заявл. 30.09.1998; Опубл. 21.12.1999; НПК 205/656. Англ.
Предлагаемое изобретение относится к пористому Si, особенно к изготовлению и использованию кремниевых структур и, в частности, изготовлению и использованию структур, к-рые имеют преимущества за счет большой ПВ или специфич. размера пор Si. Изготовление и использование структур из пористого Si увеличивает поверхн. площадь р-ционной камеры, приборов электрофореза, термопневматич. сенсора - усилителя или прибора контроля потоков. В частности, высокая поверхн. площадь специфич. размер пор структур Si могут быть использованы для существенного увеличения АД, испарения, ДС, конденсации потоков жидкостей и газов. Например, м. б. использовано предварит. концентрирование с начальной АД и послед. ДС для определения фоновых частиц. Патентуется процесс изготовления пористой кремниевой МБ.

Ключевые слова: акк гетероструктуры% н кремниевые% н изготовление, применение% акк кремний% н пористый и крист.% н использование% акк мембраны пористые% н кремниевые% акк электрофорез% н приборы% акк сенсоры% н термопневматич.% н для контроля потоков% акк концентрирование% н предварит., с начальной АД и послед. ДС% акн потоки% к жидкости% к газы% н увеличение АД, испарения, ДС, конденсации




Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору