ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
10.МБ.171. Вольтамперометрическое применение полностью твердого фторидселективного электрода Кот С.А., Тураева М.С., Глумов О.В., Мурин И.В. Всерос. конф. с междунар. участием "СЕНСОР-2000. Сенсоры и микросистемы", Санкт-Петербург, 21-23 июня, 2000: Тез. докл. СПб. 2000, с. 115. Рус.
Исследовали межфазные процессы при контакте монокристаллич. МБ LaF3 (0,8 мол.% Eu2+) фторидселективного Э, содерж. твердофазную систему сравнения (ФСЭТС), с металлич. Э Ag, Sn, Bi методами ВА. В кач-ве твердофазных систем сравнения использовали смесь Sn и SnF2 в соотношении 3:1. Разработан технол. режим изготовления Э Sn, SnF2, обеспечивающий линейность вольтамперной кривой ячейки ФСЭТС | KCl 1M, KF 1M | AgCl, Ag в области ПТ от -2,5 В до +2,5 В и независимость от скорости развертки ПТ V=0,01¸0,05 В/с. Твердофазные Э использовали для исследования границы ФСЭТС|Me при условии периодич. контроля динамич. вольтамперограммы. Катодные и анодные процессы на границе ФСЭТС с металлами изучали в режиме инверсионной вольтамперометрии. Показано, что область электрохим. устойчивости контакта ФСЭТС|Me(-) ограничена разложением МБ при Eст=-(2,385-0,002) В и определяет катодную границу рабочего диапазона, в к-ром м. б. зафиксированы р-ции с металлич. Э. Установлено, что ПТ накопления не влияет на характер анодных кривых, и ток пика обнаружил линейную зависимость от V1/2 и от кол-ва пропущенного заряда Qk.

Ключевые слова: акк мембраны ионообменные% н монокрист.% асп лантан% п фториды% н LaF3, легир. Eu2+% акк электроды ионоселективные% н фторид-селективные% н полностью тв.% к олово% п олово фториды% акк электродный процесс% н ПВ раздела% акк электрохимические свойства% н контактов% акк фториды определение% акк вольтамперометрия% н инверсионная




Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору