ChemNet
 
Предыдущий реферат Следующий реферат Содержание номера статья
10.МБ.127. Характеристика SiC, выращенного осаждением из паровой фазы с плазменным усилением и его применение в улучшенной сеточной технологии - рассеяния с ограничением по углу для мембраны для проекционной электронно-лучевой литографии Characterization of plasma enhanced chemical vapor deposited SiC and its application in advanced reticle technology-scattering with angular limitation in projection electron beam lithography membrane. Han S.-I.*, Mangat P.J.S., Smith S.M., Dauksher W.J., Convey D., Gregory R.B. J. Vac. Sci. and Technol. A. 2000. 18, 4, Pt 1, с. 1225-1229, 7. Библ. 11. Англ.
Показано, что можно изготовить мембранную маску, состоящую из окон (4´24), размером 1´12 нм, из a-SiC:H с эквивалентной толщиной 1500 для МБ из SiC, получаемых парофазохим. осаждением при низком давл. Приведены результаты по осаждению парофазохим. методом с плазменным усилением a-SiC, определению св-в ПЛ и послед. изготовлению МБ. ПЛ аморфного SiC:H осаждались на пластины Si n-типа размером в 100 мм, имеющих ориентацию (100) с использованием радиочастотной плазмы из метана и силана. На РК подавалась частота в 13,5 МГц для создания реактивных ионов и частота в 100-500 кГц для увеличения энергии ионов и усиления бомбардировки подложек. После оптимизации процесса получены аморфные ПЛ a-SiC:H толщиной 150 нм с низкими напряжениями и с низкой скоростью травления в KOH (0,03 нм/мин) свежеосажденных пленок при т-ре 95ºC и конц-ии в 25% KOH. Advanced Products Research and Development Lab, Motorola, Tempe, Arizona 85284.

Ключевые слова: акк мембраны неорганические% акк кремний карбид% н гидрир.% акк маски% н мембранные% акк пленки% н аморф.% акк осаждение% н хим., плазменно-усиленное% акк литография% н проекц., электронно-лучевая




Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору